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文献
J-GLOBAL ID：201602260368535760
整理番号：11A1726560
An efficient dose-compensation method for proximity effect correction
Wang Ying
(Res. Center of Semiconductor Integrated Technol., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
,
Han Weihua
(Res. Center of Semiconductor Integrated Technol., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
,
Yang Xiang
(Res. Center of Semiconductor Integrated Technol., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
,
Zhang Renping
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)
,
Zhang Yang
(Res. Center of Semiconductor Integrated Technol., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
,
Yang Fuhua
(Res. Center of Semiconductor Integrated Technol., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. ...)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 31 号： 8 ページ： 86001-1-86001-4 発行年： 2010年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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