文献
J-GLOBAL ID:201602260447183298
整理番号:16A0990411
65nmバルクCMOS技術における単一事象二重過渡とその井戸構造依存性により誘導される単事象アプセット【Powered by NICT】
Single event upset induced by single event double transient and its well-structure dependency in 65-nm bulk CMOS technology
著者 (3件):
Huang Pengcheng
(College of Computer, National University of Defense Technology)
,
Chen Shuming
(National University of Defense Technology)
,
Chen Jianjun
(College of Computer, National University of Defense Technology)
資料名:
Science China. Information Sciences
(Science China. Information Sciences)
巻:
59
号:
4
ページ:
042411-1-042411-8
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2579A
ISSN:
1674-733X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)