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文献
J-GLOBAL ID：201602260455314989
整理番号：16A0989795
シリコン単一電子トランジスタに基づく高感度電荷走査型プローブ【Powered by NICT】
A sensitive charge scanning probe based on silicon single electron transistor
Su Lina
(Department of Electronic Engineering,Jiangnan University)
,
Li Xinxing
(Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences)
,
Qin Hua
(Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences)
,
Gu Xiaofeng
(Department of Electronic Engineering,Jiangnan University)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 4 ページ： 044008-1-044008-4 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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