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文献
J-GLOBAL ID：201602260816922905
整理番号：16A0726804
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造のSiと垂直漏れ電流に及ぼす初期AlN核形成層上のAlGaNバッファ層のAl含有量との関係【Powered by NICT】
Relationship between Al content of AlGaN buffer layer on top of initial AlN nucleation layer on Si and vertical leakage current of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures
Yamaoka Yuya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tsukuba city, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Ito Kazuhiro
(Nagoya Institute of Technology, Aichi 466-8555, Japan)
,
Ubukata Akinori
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tsukuba city, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Yano Yoshiki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tsukuba city, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Tabuchi Toshiya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tsukuba city, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Matsumoto Koh
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tsukuba city, Ibaraki 300-2611, Japan)
,
Egawa Takashi
(Nagoya Institute of Technology, Aichi 466-8555, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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