文献
J-GLOBAL ID:201602262926295839
整理番号:16A1383260
0.13μm SiGe BiCMOS技術によるDバンドRF-MEMS SPDTスイッチ【Powered by NICT】
D-Band RF-MEMS SPDT Switch in a $0.13¥mu$ m SiGe BiCMOS Technology
著者 (6件):
Tolunay Wipf Selin
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
,
Goritz Alexander
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
,
Wietstruck Matthias
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
,
Wipf Christian
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
,
Tillack Bernd
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
,
Kaynak Mehmet
(IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
資料名:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
(IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻:
26
号:
12
ページ:
1002-1004
発行年:
2016年
JST資料番号:
W0099A
ISSN:
1531-1309
CODEN:
IMWCBJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)