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文献
J-GLOBAL ID：201602262982920842
整理番号：16A0928538
深UVフォトニクスと熱中性子検出器のための(111)Si上の六方晶窒化ホウ素の成長
Growth of hexagonal boron nitride on (111) Si for deep UV photonics and thermal neutron detection
Ahmed K.
(Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
,
Dahal R.
(Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
,
Weltz A.
(Department of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
,
Lu J.-Q.
(Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
,
Danon Y.
(Department of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
,
Bhat I. B.
(Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 11 ページ： 113501-113501-4 発行年： 2016年09月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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