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文献
J-GLOBAL ID：201602263012006281
整理番号：16A0835889
In2O3(111)上でのプラズマ支援MBE成長によるInNの成長に及ぼす基板窒化の影響
Impact of substrate nitridation on the growth of InN on In2O3(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Cho YongJin
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Sadofev Sergey
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Fernandez-Garrido Sergio
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Calarco Raffaella
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Riechert Henning
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Galazka Zbigniew
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany)
,
Uecker Reinhard
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany)
,
Brandt Oliver
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 369 ページ： 159-162 発行年： 2016年04月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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