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文献
J-GLOBAL ID：201602263810316033
整理番号：16A0726626
酸性アモノサーマル法により成長させた高品質のバルクGaN結晶【Powered by NICT】
High quality bulk GaN crystal grown by acidic ammonothermal method
Bao Quanxi
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
,
Saito Makoto
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
,
Kurimoto Kouhei
(The Japan Steel Works, Japan)
,
Tomida Daisuke
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
,
Kojima Kazunobu
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
,
Kagamitani Yuji
(Mitsubishi Chemical Corp., Japan)
,
Kayano Rinzo
(The Japan Steel Works, Japan)
,
Ishiguro Tohru
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
,
Chichibu Shigefusa F.
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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