文献
J-GLOBAL ID:201602264315326003
整理番号:16A1153162
高度論理素子のソース-ドレインエピタクシーと接触形成過程の原子論的シミュレーション流【Powered by NICT】
Atomistic simulation flow for source-drain epitaxy and contact formation processes of advanced logic devices
著者 (8件):
Lee Seon-Young
(CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
,
Chen Renyu
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA)
,
Schmidt Alexander
(CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
,
Jang Inkook
(CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
,
Kim Dae Sin
(CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
,
Ahn Chihak
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA)
,
Choi Woosung
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA)
,
Lee Keun-Ho
(CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SISPAD
ページ:
101-104
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)