文献
J-GLOBAL ID:201602265455178711
整理番号:16A1199565
絶縁性GaAs/AlGaAs量子井戸界面に超薄InAs層を挿入することによるRashba/Dresselhausスピン分裂の調整
Tuning of Rashba/Dresselhaus Spin Splittings by Inserting Ultra-Thin InAs Layers at Interfaces in Insulating GaAs/AlGaAs Quantum Wells
著者 (13件):
YU Jinling
(Fuzhou Univ.)
,
YU Jinling
(Changzhou Univ.)
,
ZENG Xiaolin
(Fuzhou Univ.)
,
ZENG Xiaolin
(Changzhou Univ.)
,
CHENG Shuying
(Fuzhou Univ.)
,
CHENG Shuying
(Changzhou Univ.)
,
CHEN Yonghai
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
LIU Yu
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
LAI Yunfeng
(Fuzhou Univ.)
,
LAI Yunfeng
(Changzhou Univ.)
,
ZHENG Qiao
(Fuzhou Univ.)
,
ZHENG Qiao
(Changzhou Univ.)
,
REN Jun
(Tsinghua Univ.)
資料名:
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻:
11
号:
1
ページ:
11:477 (WEB ONLY)
発行年:
2016年12月
JST資料番号:
U7001A
ISSN:
1931-7573
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)