文献
J-GLOBAL ID:201602265550732860
整理番号:16A1364257
各種AlNバッファ層厚みを持つAlInN/AlN/GaNヘテロ構造の特性評価
Characterization of AlInN/AlN/GaN Heterostructures with Different AlN Buffer Thickness
著者 (7件):
Corekci S.
(Energy Systems Engineering Department, Kirklareli University, Kirklareli, Turkey)
,
Dugan S.
(Physics Department, Kirklareli University, Kirklareli, Turkey)
,
OEztuerk M. K.
(Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
Cetin S. S.
(Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
Cakmak M.
(Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
OEzcelik S.
(Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey)
,
OEzbay E.
(Nanotechnology Research Center, Bilkent University, Ankara, Turkey)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
45
号:
7
ページ:
3278-3284
発行年:
2016年07月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)