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文献
J-GLOBAL ID:201602266974667405   整理番号:16A1108437

10nmテクノロジーノード以降のパターンマッチングによる自己整合型ダブルパターニング(SADP)対応レイアウト設計の最適化

Optimization of Self-Aligned Double Patterning (SADP)-compliant layout designs using pattern matching for 10nm technology nodes and beyond
著者 (6件):
WANG Lynn T.-N.
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
SCHROEDER Uwe Paul
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
WOO Youngtag
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
ZENG Jia
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
MADHAVAN Sriram
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
CAPODIECI Luigi
(GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)

資料名:
Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)

巻: 9781  ページ: 97810B.1-97810B.9  発行年: 2016年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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