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文献
J-GLOBAL ID：201602268108716051
整理番号：16A1204732
MSQ層間誘電体を用いたキャビティゲート構造を持つミリ波GaNH EMT【Powered by NICT】
Millimeter-Wave GaN HEMTs With Cavity-Gate Structure Using MSQ-Based Inter-Layer Dielectric
Ozaki Shiro
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Makiyama Kozo
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Ohki Toshihiro
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Kamada Yoichi
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Sato Masaru
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Niida Yoshitaka
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Okamoto Naoya
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
,
Joshin Kazukiyo
(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 29 号： 4 ページ： 370-375 発行年： 2016年
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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