文献
J-GLOBAL ID:201602269030381594
整理番号:16A0388057
LaFeAs1-PxOにおける可能なLifshitz転移によって分離した二つの超伝導ドーム
Two superconducting domes separated by a possible Lifshitz transition in LaFeAs1- xPxO
著者 (9件):
SHEN Chenyi
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
SI Bingqi
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
CAO Chao
(Dep. of Physics, Hangzhou Normal Univ., Hangzhou 310036, CHN)
,
YANG Xiaojun
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
BAO Jinke
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
TAO Qian
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
LI Yuke
(Dep. of Physics, Hangzhou Normal Univ., Hangzhou 310036, CHN)
,
CAO Guanghan
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
XU Zhu-an
(Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
119
号:
8
ページ:
083903-083903-6
発行年:
2016年02月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)