文献
J-GLOBAL ID:201602269342618535
整理番号:16A0518267
CdTe/GaAsヘテロ界面のポテンシャル障壁の高さに及ぼすGa-Te界面層の影響
Effects of Ga-Te interface layer on the potential barrier height of CdTe/GaAs heterointerface
著者 (15件):
Xi Shouzhi
(State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, P. R. China. jwq@nwpu.edu.cn zha_gq@nwpu.edu.cn)
,
Jie Wanqi
,
Zha Gangqiang
,
Yuan Yanyan
,
Wang Tao
,
Zhang Wenhua
,
Zhu Junfa
,
Xu Lingyan
,
Xu Yadong
,
Su Jie
,
Zhang Hao
,
Gu Yaxu
,
Li Jiawei
,
Ren Jie
,
Zhao Qinghua
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
18
号:
4
ページ:
2639-2645
発行年:
2016年01月28日
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)