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文献
J-GLOBAL ID：201602269386221836
整理番号：16A0974280
ダークシリコンを意識したNoC(ネットワークオンチップ)のためのハイブリッド不活発なSRAMとSTT-RAMバッファ設計【Powered by NICT】
Hybrid Drowsy SRAM and STT-RAM Buffer Designs for Dark-Silicon-Aware NoC
Zhan Jia
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
,
Ouyang Jin
(NVIDIA Corporation, Santa Clara, CA, USA)
,
Ge Fen
(Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, China)
,
Zhao Jishen
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Cruz, Santa Cruz, CA, USA)
,
Xie Yuan
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
(IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 24 号： 10 ページ： 3041-3054 発行年： 2016年
JST資料番号： W0516A ISSN： 1063-8210 CODEN： ITCOB4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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