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文献
J-GLOBAL ID：201602269861943424
整理番号：16A0942683
熱酸化処理によるSiO2/GaN界面でのGaOx形成とMOS界面特性向上
山田高寛
(大阪大 大学院)
,
渡邉健太
(大阪大 大学院)
,
野崎幹人
(大阪大 大学院)
,
吉越章隆
(原子力発電技術機構)
,
細井卓治
(大阪大 大学院)
,
志村考功
(大阪大 大学院)
,
渡部平司
(大阪大 大学院)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th ページ： ROMBUNNO.16p-B1-5 発行年： 2016年09月01日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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