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文献
J-GLOBAL ID:201602269861943424   整理番号:16A0942683

熱酸化処理によるSiO2/GaN界面でのGaOx形成とMOS界面特性向上

著者 (7件):
山田高寛
(大阪大 大学院)
渡邉健太
(大阪大 大学院)
野崎幹人
(大阪大 大学院)
吉越章隆
(原子力発電技術機構)
細井卓治
(大阪大 大学院)
志村考功
(大阪大 大学院)
渡部平司
(大阪大 大学院)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 77th  ページ: ROMBUNNO.16p-B1-5  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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