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文献
J-GLOBAL ID：201602270206974637
整理番号：16A0836116
上部へのサブ単層カーボン蒸着とその場ポストアニーリングを用いたGe/Siヘテロ構造に於けるゲルマニウムドット又は膜の形成
Formation of Ge dot or film in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing
Itoh Yuhki
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Hatakeyama Shinji
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Kawashima Tomoyuki
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Washio Katsuyoshi
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 602 ページ： 32-35 発行年： 2016年03月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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