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文献
J-GLOBAL ID:201602270534080491   整理番号:16A0652133

RDL漏れを減少させ,剥離問題を解くための高分子表面処理:YE収量増強/学習【Powered by NICT】

Polymer surface treatment to reduce RDL leakage and solve delamination issue: YE: Yield enhancement/learning
著者 (6件):
Huang W. L.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
Wong J. J.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
Huang Danial
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
Chang K. P.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
Su H. S.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
Ku Harry
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: ASMC  ページ: 456-459  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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