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文献
J-GLOBAL ID：201602270561566201
整理番号：13A1108361
Influence of different oxidants on the band alignment of HfO_2 films deposited by atomic layer deposition
Fan Jibin
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
,
Liu Hongxia
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
,
Gao Bo
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
,
Ma Fei
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
,
Zhuo Qingqing
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian Univ. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Ministry of ...)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 21 号： 8 ページ： 087702-1-087702-5 発行年： 2012年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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