文献
J-GLOBAL ID:201602270759968135
整理番号:13A1108316
Optimum design of photoresist thickness for 90-nm critical dimension based on ArF laser lithography
著者 (5件):
Chen Deliang
(Dep. of Opto-Electronics,Sichuan Univ., Chengdu)
,
Cao Yiping
(Dep. of Opto-Electronics,Sichuan Univ., Chengdu)
,
Huang Zhenfen
(Dep. of Opto-Electronics,Sichuan Univ., Chengdu)
,
Lu Xi
(Dep. of Opto-Electronics,Sichuan Univ., Chengdu)
,
Zhai Aiping
(Dep. of Opto-Electronics,Sichuan Univ., Chengdu)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
21
号:
8
ページ:
084201-1-084201-6
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)