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文献
J-GLOBAL ID：201602271778144040
整理番号：16A1342943
熱管理を超えて:AlGaN/GaN HEMTにpダイヤモンドのバックバリアとキャップ層を組み込む
Beyond Thermal Management: Incorporating p-Diamond Back-Barriers and Cap Layers Into AlGaN/GaN HEMTs
Zhang Yuhao
(, Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge, MA, USA)
,
Teo Koon Hoo
(, Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge, MA, USA)
,
Palacios Tomas
(Department of Electrical Engineering and Computer ScienceMicrosystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 6 ページ： 2340-2345 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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