文献
J-GLOBAL ID:201602271942835376
整理番号:16A0564988
黄色発光(Ga,In)N/GaN多重量子井戸において最適In組成と量子井戸厚さ
Optimized In composition and quantum well thickness for yellow-emitting (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells
著者 (9件):
Lekhal Kaddour
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Hussain Sakhawat
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Hussain Sakhawat
(Universite de Nice Sophia Antipolis, Parc Valrose, 28 av. Valrose, 06108 Nice cedex 2, France)
,
De Mierry Philippe
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Vennegues Philippe
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Nemoz Maud
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Chauveau Jean-Michel
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
,
Chauveau Jean-Michel
(Universite de Nice Sophia Antipolis, Parc Valrose, 28 av. Valrose, 06108 Nice cedex 2, France)
,
Damilano Benjamin
(CRHEA-CNRS, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
434
ページ:
25-29
発行年:
2016年01月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)