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文献
J-GLOBAL ID：201602272194851774
整理番号：16A1374410
キャリア捕獲の影響を含む超小型モデルによる高電圧SiC-MOSFET回路の電力損失予測
Power-Loss Prediction of High-Voltage SiC-mosfet Circuits With Compact Model Including Carrier-Trap Influences
Tanimoto Yuta
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Saito Atsushi
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Matsuura Kai
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Kikuchihara Hideyuki
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Mattausch Hans Jurgen
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Miura-Mattausch Mitiko
(Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan)
,
Kawamoto Noriaki
(Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 31 号： 6 ページ： 4509-4516 発行年： 2016年
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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