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文献
J-GLOBAL ID：201602272218540682
整理番号：13A0523790
Effect of N_2O Plasma Treatment on The SiNx-based InGaZnO Thin Film Transistors
Li Jun
(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC ...)
,
Zhou Fan
(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)
,
Lin Huaping
(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)
,
Zhang Hao
(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)
,
Zhang Jianhua
(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)
,
Jiang Xueyin
(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)
,
Zhang Zhilin
(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 33 号： 4 ページ： 400-403 発行年： 2012年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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