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文献
J-GLOBAL ID：201602272326222256
整理番号：16A0790421
マグネトロン反応スパッタリングでのALNバッファ層のGANベースLEDのデバイス性能への影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】
Effect of AlN Buffer Layer Prepared by Reactive Magnetron Sputtering on GaN-based LEDs
Nong Mingtao
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Miao Zhenlin
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Liang Zhiyong
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Zhou Zuohua
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Cai Bingjie
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Lu Guojun
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Lin Chuanqiang
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
,
Zhang Yu
(Xiangneng Hualei Optoelectronic Co.,Ltd)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 36 号： 12 ページ： 1452-1457 発行年： 2015年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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