文献
J-GLOBAL ID:201602272926030863
整理番号:16A0751629
二重ゲートSi NW FETセンサ:低周波数ノイズと光電性質
Double-gated Si NW FET sensors: Low-frequency noise and photoelectric properties
著者 (6件):
Gasparyan F.
(Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia)
,
Khondkaryan H.
(Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia)
,
Arakelyan A.
(Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia)
,
Zadorozhnyi I.
(Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany)
,
Pud S.
(Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany)
,
Vitusevich S.
(Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
120
号:
6
ページ:
064902-064902-8
発行年:
2016年08月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)