文献
J-GLOBAL ID:201602274404718464
整理番号:16A1000728
OFETゲート誘電体としてのPVP-SiO2-TMSPMハイブリッド薄膜の電気特性
Electrical Properties of PVP-SiO2-TMSPM Hybrid Thin Films as OFET Gate Dielectric
著者 (2件):
Bahari A.
(Department of Solid State Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran)
,
Shahbazi M.
(Department of Solid State Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
45
号:
2
ページ:
1201-1209
発行年:
2016年02月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)