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文献
J-GLOBAL ID：201602275690296503
整理番号：16A0977937
接合改善と縮尺EOTを有する高Ge含有SiGe PMOS FinFETにおける記録SiGe相互コンダクタンスと短チャネル電流駆動の実証【Powered by NICT】
Demonstration of record SiGe transconductance and short-channel current drive in High-Ge-Content SiGe PMOS FinFETs with improved junction and scaled EOT
Hashemi Pouya
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Kam-Leung Lee
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Ando Takashi
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Balakrishnan Karthik
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Ott John A.
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Koswatta Syuranga
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Engelmann Sebastian U.
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Dae-Gyu Park
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Narayanan Vijay
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Mo Renee T.
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Leobandung Effendi
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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