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文献
J-GLOBAL ID：201602275705705657
整理番号：16A1373687
ZrO2/HfO2スタックゲート誘電体を有するGe pMOSFETの改善された電気的特性
Improved Electrical Characteristics of Ge pMOSFETs With ZrO2/HfO2 Stack Gate Dielectric
Chen-Chien Li
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Kuei-Shu Chang-Liao
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Wei-Fong Chi
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Mong-Chi Li
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Ting-Chun Chen
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Tzu-Hsiang Su
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Yu-Wei Chang
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Chia-Chi Tsai
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Li-Jung Liu
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Chung-Hao Fu
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
,
Chun-Chang Lu
(Dept. of Eng. & Syst. Sci., Nat. Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 1 ページ： 12-15 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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