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文献
J-GLOBAL ID：201602276797617472
整理番号：16A0615409
超微細化したナノワイヤ電界効果トランジスタのための材料としてのSiの可能性に関するシミュレーション研究【Powered by NICT】
Simulation study on the feasibility of Si as material for ultra-scaled nanowire field-effect transistors
Stanojevic Z.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
,
Baumgartner O.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
,
Karner M.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
,
Mitterbauer F.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
,
Demel H.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
,
Kernstock C.
(Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： EUROSOI-ULIS ページ： 147-150 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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