文献
J-GLOBAL ID:201602276929116342
整理番号:16A0804620
GaNトンネルスイッチダイオード【Powered by NICT】
GaN tunnel switch diodes
著者 (5件):
Chaney Alexander
(Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA)
,
Qi Meng
(University of Notre Dame, Notre Dame, IN46656, USA)
,
Islam S. M.
(Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA)
,
Xing Huili Grace
(Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA)
,
Jena Debdeep
(Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)