文献
J-GLOBAL ID:201602277107775757
整理番号:16A0977071
DC加速寿命試験下でのAlGaN/GaN HEMTの捕獲効果の研究【Powered by NICT】
Investigation of trapping effects on AlGaN/GaN HEMT under DC accelerated life testing
著者 (5件):
Sun W.
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA)
,
Lee C.
(Qorvo Inc., Richardson, TX 75080, USA)
,
Saunier P.
(Qorvo Inc., Richardson, TX 75080, USA)
,
Ringel S.A.
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA)
,
Arehart A. R.
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IRPS
ページ:
CD-3-1-CD-3-6
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)