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文献
J-GLOBAL ID：201602277272928780
整理番号：16A0881089
Al/Al_2O_3/InGaAs MOSキャパシタ特性へのIn(0.53)Ga(0.47)As表面の窒化と硫黄不動態化の効果【Powered by NICT】
The effect of nitridation and sulfur passivation for In_(0.53)Ga_(0.47)As surfaces on their Al/Al_2O_3/InGaAs MOS capacitors properties
Lin Zizeng
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
,
Cao Mingmin
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
,
Wang Shengkai
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Qi
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
,
Xiao Gongli
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
,
Gao Xi
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
,
Liu Honggang
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Haiou
(Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 2 ページ： 026002-1-026002-5 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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