文献
J-GLOBAL ID:201602277290849046
整理番号:16A0977069
固有信頼性のSiN/AlGaNベースゲート誘電体と評価による伝導機構について【Powered by NICT】
On conduction mechanisms through SiN/AlGaN based gate dielectric and assessment of intrinsic reliability
著者 (6件):
Banerjee Abhishek
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
,
Vanmeerbeek Piet
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
,
De Schepper Luc
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
,
Vandeweghe Steven
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
,
Coppens Peter
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
,
Moens Peter
(ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IRPS
ページ:
CD-1-1-CD-1-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)