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文献
J-GLOBAL ID：201602278117243543
整理番号：16A0631801
フレキシブルInGaN/GaN発光ダイオードのエレクトロルミネセンスに及ぼす曲げの影響【Powered by NICT】
Impact of the Bending on the Electroluminescence of Flexible InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Tabares Gema
(, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France)
,
Mhedhbi Sarra
(Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Lesecq Marie
(Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Damilano Benjamin
(, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France)
,
Brault Julien
(, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France)
,
Chenot Sebastien
(, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France)
,
Ebongue Abel
(, 3M France, Beauchamp, France)
,
Altuntas Philippe
(Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Defrance Nicolas
(Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Hoel Virginie
(Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Cordier Yvon
(, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 28 号： 15 ページ： 1661-1664 発行年： 2016年
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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