文献
J-GLOBAL ID:201602278171770685
整理番号:16A0654894
7nm Si CMOS技術とそれ以降のためのMISまたはMSソース/ドレイン接触方式評価【Powered by NICT】
MIS or MS? Source/drain contact scheme evaluation for 7nm Si CMOS technology and beyond
著者 (9件):
Yu Hao
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Schaekers Marc
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Demuynck Steven
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Barla Kathy
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Mocuta Anda
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Horiguchi Naoto
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Collaert Nadine
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
Thean Aaron Voon-Yew
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
,
De Meyer Kristin
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IWJT
ページ:
19-24
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)