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文献
J-GLOBAL ID：201602278219915973
整理番号：16A0627253
新しいフッ化Si前駆体ガス(SiF4)を使用したSiC基板上のSiCホモエピタクシー,エッチングおよびグラフェンエピタキシャル成長
SiC Homoepitaxy, Etching and Graphene EpitaxialGrowth on SiC Substrates Using a Novel FluorinatedSi Precursor Gas (SiF4)
Rana Tawhid
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
,
Chandrashekhar M.V.S.
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
,
Daniels Kevin
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
,
Sudarshan Tangali
(Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 45 号： 4 ページ： 2019-2024 発行年： 2016年04月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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