文献
J-GLOBAL ID:201602278245806710
整理番号:16A1111957
p-Ge/n-GaAsヘテロ構造の電流電圧特性への一軸性変形の効果
Effect of uniaxial deformation on the current-voltage characteristic of a p-Ge/n-GaAs heterostructure
著者 (3件):
Gadzhialiev M. M.
(Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia)
,
Pirmagomedov Z. Sh.
(Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia)
,
Efendieva T. N.
(Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
50
号:
8
ページ:
1054-1055
発行年:
2016年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)