文献
J-GLOBAL ID:201602278633565746
整理番号:16A0697096
高品質自立GaN基板とその応用高ブレークダウン電圧GaN p-nダイオード【Powered by NICT】
High quality free-standing GaN substrates and their application to high breakdown voltage GaN p-n diodes
著者 (3件):
Ohta Hiroshi
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Nakamura Tohru
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Mishima Tomoyoshi
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IMFEDK
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)