文献
J-GLOBAL ID:201602279937761065
整理番号:16A0792845
ZNO量子ドット(QD)の光電特性に及ぼすアニーリング温度の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】
The optoelectronic properties of ZnO quantum dots at different annealing temperature
著者 (5件):
Sun Lei
(Zhicheng College, Fuzhou University)
,
Zhang Yongai
(Department of Physics and Information Engineering, Fuzhou University)
,
Lin Zhixian
(Department of Physics and Information Engineering, Fuzhou University)
,
Zhou Xiongtu
(Department of Physics and Information Engineering, Fuzhou University)
,
Guo Tailiang
(Department of Physics and Information Engineering, Fuzhou University)
資料名:
Gongneng Cailiao
(Gongneng Cailiao)
巻:
46
号:
23
ページ:
23106-23108,23114
発行年:
2015年
JST資料番号:
C2095A
ISSN:
1001-9731
CODEN:
GOCAEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)