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文献
J-GLOBAL ID：201602280663498661
整理番号：16A0993809
同時セレン化/硫化によるCu(In,Ga)Se2薄膜のバンドギャップの調整
Tuning the band gap of Cu(In,Ga)Se2 thin films by simultaneous selenization/sulfurization
Huang Yongliang
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
,
Huang Yongliang
(University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, Beijing 100049, PR China)
,
Han Anjun
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
,
Wang Xian
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
,
Liu Xiaohui
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
,
Liu Zhengxin
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
,
Meng Fanying
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 182 ページ： 114-117 発行年： 2016年11月01日
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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