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文献
J-GLOBAL ID：201602280683328324
整理番号：16A0611415
アクティブイメージングのための130nm CMOSによるダイオード接続NMOSトランジスタを用いた280GHzアレイの設計と実証【Powered by NICT】
Design and Demonstration of 820-GHz Array Using Diode-Connected NMOS Transistors in 130-nm CMOS for Active Imaging
Dae Yeon Kim
(Dept. of Electr. Eng., Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
,
Shinwoong Park
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Virginia Tech, Blacksburg, VA, USA)
,
Ruonan Han
(Depts. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA, USA)
,
Kenneth K. O.
(Dept. of Electr. Eng., Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
(IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻： 6 号： 2 ページ： 306-317 発行年： 2016年
JST資料番号： W2304A ISSN： 2156-342X CODEN： ITTSBX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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