文献
J-GLOBAL ID:201602280683328324
整理番号:16A0611415
アクティブイメージングのための130nm CMOSによるダイオード接続NMOSトランジスタを用いた280GHzアレイの設計と実証【Powered by NICT】
Design and Demonstration of 820-GHz Array Using Diode-Connected NMOS Transistors in 130-nm CMOS for Active Imaging
著者 (4件):
Dae Yeon Kim
(Dept. of Electr. Eng., Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
,
Shinwoong Park
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Virginia Tech, Blacksburg, VA, USA)
,
Ruonan Han
(Depts. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA, USA)
,
Kenneth K. O.
(Dept. of Electr. Eng., Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
(IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻:
6
号:
2
ページ:
306-317
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2304A
ISSN:
2156-342X
CODEN:
ITTSBX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)