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文献
J-GLOBAL ID：201602280736423718
整理番号：16A0994074
GaAs(100)基板上に有機金属分子線エピタキシーによって成長した歪補償InGaP/InGaP多重量子井戸構造における井戸層厚の変調と歪み緩和
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate
Mitsuhara M.
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Watanabe N.
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Yokoyama H.
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Iga R.
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Shigekawa N.
(Graduate School of Engineering, Osaka City University, Osaka 588-8585, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 449 ページ： 86-91 発行年： 2016年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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