文献
J-GLOBAL ID:201602281910162679
整理番号:16A0614863
CDSEM計測によるX-Y方向におけるフォトレジスト収縮差の特性化【Powered by NICT】
The characterization of photoresist shrinkage difference in X-Y directions with CDSEM metrology
著者 (4件):
He Weiming
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, P. R. China 201203)
,
Shi Xuelong
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, P. R. China 201203)
,
Hu Huayong
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, P. R. China 201203)
,
Wu Qiang
(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, P. R. China 201203)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
CSTIC
ページ:
1-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)