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文献
J-GLOBAL ID：201602283142396727
整理番号：16A0726733
ルテニウムをドープしたInPとZnの濃度プロフィルの最適化【Powered by NICT】
Optimizing the concentration profile of Zn with ruthenium doped InP
Yamaguchi Harunaka
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Nakai Eiji
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Kawahara Hiroyuki
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Nishida Takehiro
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
,
Watanabe Hitoshi
(High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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