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文献
J-GLOBAL ID：201602283236019073
整理番号：16A1257464
垂直ホットウォールCVDにおける4H-SiC膜の塩化物高速ホモエピタキシャル成長【Powered by NICT】
Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD
Yan Guoguo
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Feng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Niu Yingxi
(State Grid Smart Grid Research Institute)
,
Yang Fei
(State Grid Smart Grid Research Institute)
,
Liu Xingfang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Lei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Wanshun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Sun Guosheng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zeng Yiping
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 6 ページ： 063001_01-063001_06 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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