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文献
J-GLOBAL ID：201602283579400500
整理番号：13A0878324
Green Emission from a Strain-Modulated InGaN Active Layer
Wang Guobiao
(Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
,
Xiong Huan
(Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
,
Lin Youxi
(Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
,
Fang Zhilai
(Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
,
Kang Junyong
(Semiconductor Photonics Res. Center, Dep. of Physics, Xiamen Univ., Xiamen)
,
Duan Yu
(Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ. Key Lab. of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of ...)
,
Shen Wenzhong
(Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ. Key Lab. of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of ...)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 29 号： 6 ページ： 068101-1-068101-4 発行年： 2012年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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