文献
J-GLOBAL ID:201602284401357830
整理番号:16A1211254
nFinFET0温度係数に及ぼす陽子照射と歪の影響【Powered by NICT】
Influence of proton radiation and strain on nFinFET zero temperature coefficient
著者 (7件):
Nascimento Vinicius M.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian Paula G. D.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Almeida Luciano M.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Bordallo Caio C. M.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
,
Simoen Eddy
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Claeys Cor
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Martino Joao A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SBMicro
ページ:
1-4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)