文献
J-GLOBAL ID:201602284570345499
整理番号:16A0471839
ZrO2/AlON二重層構造からなる高性能透明抵抗スイッチングメモリ
A high performance transparent resistive switching memory made from ZrO2/AlON bilayer structure
著者 (4件):
Tsai Tsung-Ling
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
,
Chang Hsiang-Yu
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
,
Lou Jesse Jen-Chung
(Dep. of Energy Information Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking Univ., Wuxi 214125, China)
,
Tseng Tseung-Yuen
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
108
号:
15
ページ:
153505-153505-4
発行年:
2016年04月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)